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SWP3205 参数 Datasheet PDF下载

SWP3205图片预览
型号: SWP3205
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内容描述: N沟道MOSFET [N-channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 692 K
品牌: SEMIPOWER [ XIAN SEMIPOWER ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. ]
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SAMWIN
图。 1.在通态特性
SW3205
图。 2.传输特性
V
GS
上图:
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部: 4.5 V
10
2
10
2
I
D
,漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
175 C
10
1
o
10
1
25 C
-55 C
o
o
¡ Ø注意事项:
1. 250元是脉冲测试
2. T
C
= 25،ة
¡ Ø注意事项:
1. V
DS
= 25V
2. 250日元是脉冲测试
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
0
2
4
6
8
10
V
DS
,漏源电压[V]
V
GS
,栅源电压[V]
图。 3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
18
图。 4.在目前的状态与
二极管的正向电压
漏源导通电阻[M ¥ ط ]
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
250
300
350
¡ Ø注:t
J
= 25،ة
V
GS
= 10V
I
DR
,反向漏电流[ A]
V
GS
= 20V
10
2
R
DS ( ON)
,
10
1
175،ة
25،ة
¡ Ø注意事项:
1. V
GS
= 0V
2. 250日元是脉冲测试
0
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
D
,漏电流[ A]
V
SD
,源极 - 漏极电压[ V]
图。 5.电容特性
(不重复)
5500
5000
4500
4000
C
国际空间站
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=短路)
C
OSS
=C
ds
+C
gd
C
RSS
=C
gd
图。 6.栅极电荷特性
12
V
DS
= 30V
10
V
GS
,栅源电压[V]
V
DS
= 48V
电容[ pF的]
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
15
20
25
¡ Ø注意事项:
1. V
GS
= 0V
2, F = 1MHz的
8
C
国际空间站
6
4
C
OSS
2
¡ Ø注:我
D
= 110 A
C
RSS
30
35
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
DS
,漏源电压[V]
Q
G
,总栅极电荷[ NC ]
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