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SWP12N65 参数 Datasheet PDF下载

SWP12N65图片预览
型号: SWP12N65
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内容描述: N沟道MOSFET [N-channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 1261 K
品牌: SEMIPOWER [ XIAN SEMIPOWER ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. ]
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SAMWIN
图。 1.在通态特性
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部: 4.5 V
上图:
SW12N6 5
图。 2.传输特性
10
1
I
D
,漏电流[ A]
10
1
I
D
,漏电流[ A]
150 C
-55 C
o
o
25 C
10
0
o
10
0
注意事项:
1. 250μs的脉冲测试
2. T
C
= 25
注意事项:
1. V
DS
= 40V
2. 250μs的脉冲测试
10
-1
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
,漏源电压[V]
V
GS
,栅源电压[V]
图。 3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图。 4.在目前的状态与
二极管的正向电压
R
DS ( ON)
[Ω ],
漏源导通电阻
I
DR
,反向漏电流[ A]
1.5
10
1
V
GS
= 10V
1.0
10
0
150
25
-1
0.5
V
GS
= 20V
注:t
J
= 25
注意事项:
1. V
GS
= 0V
2. 250μs的脉冲测试
0
5
10
15
20
25
30
35
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
,漏电流[ A]
V
SD
,源极 - 漏极电压[ V]
图。 5.电容特性
(不重复)
3500
3000
2500
图。 6.栅极电荷特性
12
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路)
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
V
DS
= 120V
10
V
GS
,栅源电压[V]
V
DS
= 300V
V
DS
= 480V
电容[ pF的]
C
国际空间站
C
OSS
8
2000
1500
1000
500
0
-1
10
6
C
RSS
注意事项;
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
4
2
注:我
D
= 12A
0
10
0
10
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
,漏源电压[V]
Q
G
,总栅极电荷[ NC ]
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