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SWI1N60C 参数 Datasheet PDF下载

SWI1N60C图片预览
型号: SWI1N60C
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内容描述: N沟道D- PAK / I- PAK / TO-92的MOSFET [N-channel D-PAK/I-PAK/TO-92 MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 738 K
品牌: SEMIPOWER [ XIAN SEMIPOWER ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. ]
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SAMWIN
图。 1.在通态特性
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
底部: 5.5 V
上图:
SW1N60C
图。 2.传输特性
10
0
I
D
,漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
10
0
10
-1
150 C
25 C
-55 C
注意事项:
1. V
DS
= 50V
2. 250μs的脉冲测试
o
o
o
注意事项:
10
-2
1. 250μs的脉冲测试
2. T
C
= 25
10
-1
10
-1
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
,漏源电压[V]
V
GS
,栅源电压[V]
图。 3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
30
图。 4.在目前的状态与
二极管的正向电压
漏源导通电阻[¥ ط ]
I
DR
,反向漏电流[ A]
25
20
10
0
R
DS ( ON)
,
15
V
GS
= 10V
150،ة
25،ة
10
V
GS
= 20V
5
¡ Ø注:t
J
= 25،ة
¡ Ø注意事项:
1. V
GS
= 0V
2. 250日元是脉冲测试
0
0.0
10
-1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
,漏电流[ A]
V
SD
,源极 - 漏极电压[ V]
图。 5.电容特性
(不重复)
图。 6.栅极电荷特性
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