SAMWIN
SW630
N沟道MOSFET
特点
■
高耐用性
■
R
DS ( ON)
(最大0.4
Ω)@V
GS
=10V
■
栅极电荷(典型值20nC )
■
改进的dv / dt能力
■
100%的雪崩测试
TO-220F
TO-220
TO-252
BV
DSS
: 200V
I
D
: 10A
1
1
2
1
3
2
3
2
3
R
DS ( ON)
: 0.4ohm
2
1.门2.排水3.源
概述
这是功率MOSFET生产与SAMWIN先进的VDMOS技术。
这项技术使功率MOSFET具有更好的特性,
如快速切换时间,低导通电阻,低栅极电荷和特别
优异的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用
以高效率的DC -DC转换器块和开关电源。
它的典型应用是电视和显示器。
1
3
订购代码
项
1
2
3
销售类型
SW P 630
瑞士法郎630
SW ð 630
记号
SW630
SW630
SW630
包
TO-220
TO-220F
TO-252
包装
管
管
REEL
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
英镑
, T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流( @T
C
=25
o
C)
连续漏电流( @T
C
=100
o
C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @T
C
=25
o
C)
降额超过25因素
o
C
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的
目的, 1/8案件从5秒。
(注2 )
(注1 )
(注3)
88
0.7
-55 ~ + 150
300
(注1 )
10
5.5
40
±
30
324
8.8
5
38*
0.3
参数
价值
TO-220
200
10.0*
5.5*
TO-220F
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
C
o
C
* 。漏电流是由结温的限制。
热特性
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
六月2011年修订版3.0
参数
热阻,结到外壳
热电阻,案件水槽
热阻,结到环境
价值
TO-220
1.42
0.5
62.5
TO-220F
3.33
单位
o
C / W
o
C / W
o
C / W
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