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SWF2N65 参数 Datasheet PDF下载

SWF2N65图片预览
型号: SWF2N65
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内容描述: N沟道MOSFET [N-channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 746 K
品牌: SEMIPOWER [ XIAN SEMIPOWER ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. ]
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SAMWIN
图7.击穿电压变化
- 结温
1.2
SW2N65
图。 8.导通电阻变化
- 结温
3.0
漏源击穿电压
漏源导通电阻
2.5
1.1
R
DS ( ON)
(归一化)
BV
DSS
(归一化)
2.0
1.0
1.5
1.0
* 。注意事项:
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 2.0A
0.9
* 。注意事项:
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250uA
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
,结温[C]
T
J
,结温[C]
图。 9.最大漏极电流 -
外壳温度。
2.0
图。 10.最大安全工作区
10
1
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
100
s
1毫秒
I
D'
漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
1.5
10
0
10毫秒
DC
1.0
10
-1
0.5
* 。注意事项:
O
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
O
0.0
25
10
50
75
100
o
-2
125
150
10
0
10
1
10
2
10
3
T
C'
外壳温度[C]
V
DS
,漏源电压[V]
图。 11.瞬态热响应曲线
D=0.5
Z
???? JC
(T ) ,热响应
10
0
0.2
0.1
0.05
10
-1
* 。注意事项:
O
1. Z
???? JC
( T) = 2.58 ℃/ W(最大值) 。
2.占空比,D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
???? JC
(t)
0.02
0.01
单脉冲
t
1
t
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
,方波脉冲持续时间(秒)
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