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SWD50N06A 参数 Datasheet PDF下载

SWD50N06A图片预览
型号: SWD50N06A
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内容描述: N沟道MOSFET (TO- 251 ,TO- 252) [N-channel MOSFET (TO-251 , TO-252)]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 490 K
品牌: SEMIPOWER [ XIAN SEMIPOWER ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. ]
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SAMWIN
图。 1.在通态特性
3
SW50N06A
图。 2.传输特性
10
V
GS
[V]前15名
10
8
7
6
5.5
5
底部4.5
10
2
10
2
ID [ A] ,漏电流
I
D
[A] ,漏电流
25[،ة]
125[،ة]
10
1
-55[،ة]
10
1
¡ Ø注
1. 250§ء脉冲测试
2. T
C
= 25،ة
10
0
¡ Ø注
V
DS
= 30 [ V ]
250§ء脉冲测试
10
0
10
-1
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
[V] ,漏源极电压
VGS [V] ,栅源电压
图。 3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
70
图。 4.在目前的状态与
二极管的正向电压
漏极至源极导通电阻
60
10
2
50
40
30
V
GS
=10[V]
V
GS
=20[V]
¡ Ø注
T
J
= 25،ة
0
50
100
150
200
I
DR
[A] ,反向漏电流
R
DS ( ON)
[m§ظ]
10
1
20
TJ = 175℃
o
TJ = 25℃
¡ Ø注
V
GS
= 0V
250§ء脉冲测试
o
10
0
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
D
[A] ,漏电流
VSD [V] ,源极 - 漏极电压
图。 5.电容特性
(不重复)
3000
图。 6.栅极电荷特性
12
2500
C
OSS
C
国际空间站
2. C
OSS
= C
ds
+ C
gd
3. C
RSS
= C
gd
¡ Ø注
1. V
GS
= 0[V]
2.频率= 1 [兆赫]
V
GS
[V] ,门源电压[ V]
1. C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路)
10
Capcitance [ pF的]
2000
8
V
DS
= 30V
V
DS
=12V
V
DS
= 48V
1500
6
1000
C
RSS
4
500
2
¡ Ø注
I
D
= 50A
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
-1
10
0
10
0
10
1
V
DS
[V] ,漏源极电压
栅极电荷[ NC ]
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