SAMWIN
SW1N60C
N沟道D- PAK / I- PAK / TO-92的MOSFET
特点
■
高耐用性
■
R
DS ( ON)
(最多9
Ω)@V
GS
=10V
■
栅极电荷(最大6nC )
■
改进的dv / dt能力
■
100%的雪崩测试
TO-251
TO-252
TO-92
BV
DSS
: 600V
I
D
: 1.0A
1
1
2
3
2
3
R
DS ( ON)
: 9.0ohm
1
2
3
2
1.门2.排水3.源
概述
这是功率MOSFET生产与SAMWIN先进的VDMOS技术。
这项技术使功率MOSFET具有更好的特性,
如快速切换时间,低导通电阻,低栅极电荷和特别
优异的雪崩特性。这种功率MOSFET通常用
在AC适配器和开关电源。
1
3
订购代码
项
1
2
3
销售类型
SW Ç 1N60C
SW我1N60C
SW ð 1N60C
记号
SW1N60C
SW1N60C
SW1N60C
包
TO-92
TO-251
TO-252
包装
TAPE
管
REEL
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
英镑
, T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流( @T
C
=25
o
C)
连续漏电流( @T
C
=100
o
C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @T
C
=25
o
C)
降额超过25因素
o
C
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的
目的, 1/8案件从5秒。
260
(注2 )
(注1 )
(注3)
3
0.025
(注1 )
0.8
0.5
2.0
±
30
52
0.3
4.5
30
0.23
-55 ~ + 150
275
参数
价值
TO-92
TO-251
600
1.0
0.65
4.0
TO-252
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
o
C
o
C
热特性
符号
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
三月2011年修订版2.0
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到铅最大
热阻,结到环境
价值
TO-92
-
40
120
TO-251
4.2
-
100
TO-252
单位
o
C / W
o
C / W
o
C / W
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