SAMWIN
电气特性
( T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
开关特性
BV
DSS
I
DSS
漏源击穿电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流，正向
I
GSS
栅极至源极漏电流，反向
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ，T
C
=125
o
C
V
GS
=30V, V
DS
=0V
V
GS
=-30V, V
DS
=0V
600
-
-
-
-
参数
测试条件
分钟。
SW1N60C
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
1
10
100
-100
V
uA
uA
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A
2.0
-
5
4.0
9
V
Ω
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=480V, V
GS
= 10V ，我
D
=1.0A
V
DS
= 300V ，我
D
= 1.0A ，R
G
=25Ω
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
18
4
15
75
30
35
7
1.3
2.4
150
25
6
35
140
60
60
9
-
-
nC
ns
pF
源极到漏极二极管的额定特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向压降。
反向恢复时间
击穿电压温度
测试条件
积分反向的P- N结
二极管在MOSFET
I
S
= 1.0A ，V
GS
=0V
I
S
= 1.0A ，V
GS
=0V,
dI
F
/dt=100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
190
0.44
马克斯。
1.0
4.0
1.5
-
-
单位
A
A
V
ns
uC
※.
笔记
1.
Repeatitive评价：脉冲宽度有限的结温。
2.
L = 95mH ，我
AS
= 1.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25
o
C
3.
I
SD
≤ 1.0A ，的di / dt = 300A / us的，V
DD
= BV
DSS
，盯着牛逼
J
=25
o
C
4.
脉冲测试：脉冲宽度≤ 300US ，占空比≤ 2 ％
5.
基本上是独立的工作温度。
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