TIP125/126/127
TIP125/126/127
整体结构与内置的
基极发射极分流电阻
- 高直流电流增益： hFE参数= 1000 @ VCE = -4V ， IC = -3A （最小值）
- 集电极发射极耐受电压
- 低集电极 - 发射极饱和电压
- 工业用
- 为了配合TIP120 /一百二十二分之一百二十一
PNP外延
硅达林顿
晶体管
等效电路
绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
： TIP125
： TIP126
： TIP127
T
a
= 25° ，除非另有说明
符号
V
CBO
等级
-60
-80
-100
-60
-80
-100
-5
-5
-8
-120
2
65
150
-65~150
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
㎃
W
W
℃
℃
TO-220
1.基地
2.收集
3.辐射源
集电极 - 发射极电压： TIP125
： TIP126
： TIP127
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（ TA = 25 ℃ ）
集电极耗散（ TC = 25 ℃ ）
结温
储存温度
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
英镑
12
3
电气特性
特征
集电极 - 发射极电压维持
： TIP125
： TIP126
： TIP127
集电极截止电流
： TIP125
： TIP126
： TIP127
集电极截止电流
： TIP125
： TIP126
： TIP127
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
输出电容
T
a
= 25° ，除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
I
C
= -100mA ，我
B
=0
-60
-80
-100
-2
-2
-2
-1
-1
-1
-2
1000
1000
-2
-4
-2.5
300
V
V
V
㎊
V
V
V
㎃
㎃
㎃
㎃
㎃
㎃
㎃
测试条件
民
最大
单位
I
首席执行官
V
CE
= -30V ，我
B
=0
V
CE
= -40V ，我
B
=0
V
CE
= -50V ，我
B
=0
I
CBO
V
CE
= -60V ，我
E
=0
V
CE
= -80V ，我
E
=0
V
CE
= -100V ，我
E
=0
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
C
ob
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -3V ，我
C
= -0.5A
V
CE
= -3V ，我
C
= -3A
I
C
= -3A ，我
B
= -12mA
I
C
= -5A ，我
B
= -20mA
V
CE
= -3V ，我
C
= -3A
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f =为0.1MHz
*脉冲测试： PW≤300us ，职务Cycle≤2 ％
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2007年10月
SEMIHOW [ SEMIHOW CO.,LTD. ]
