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    2N3904 参数 Datasheet PDF下载

    2N3904图片预览
    型号： 2N3904
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用NPN晶体管高可靠性的应用 [GENERAL PURPOSE NPN TRANSISTOR FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 20 K
    品牌： SEME-LAB [ SEME LAB ]
     浏览型号2N3904的Datasheet PDF文件第1页  
    LAB
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    测试条件
    V
    （ BR ） CEO *
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    BL
    I
    CEX
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （SAT） *
    集电极 - 发射极击穿电压I
    C
    = 1毫安
    集电极 - 基极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    底座截止电流
    集电极 - 发射极截止电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    基地 - 发射极饱和电压
    I
    C
    = 10
    m
    A
    I
    E
    = 10
    m
    A
    V
    EB
    = 3V
    I
    C
    = 10毫安
    I
    C
    = 50毫安
    I
    C
    = 10毫安
    I
    C
    = 50毫安
    I
    B
    = 1毫安
    I
    B
    = 5毫安
    I
    B
    = 1毫安
    I
    B
    = 5毫安
    I
    C
    = 0.1毫安
    I
    C
    = 1毫安
    h
    FE *
    直流电流增益
    V
    CE
    = 1V
    I
    C
    = 10毫安
    I
    C
    = 50毫安
    *脉冲测试：吨
    p
    £
    300
    m
    s,
    d £
    2%.
    I
    C
    = 100毫安
    40
    70
    100
    60
    30
    300
    —
    0.65
    V
    CE
    = 30V
    I
    B
    = 0
    I
    E
    = 0
    I
    C
    = 0
    SEME
    2N3904
    分钟。
    40
    60
    6
    典型值。
    MAX 。 UNIT
    V
    50
    50
    0.2
    0.3
    0.85
    0.95
    nA
    V
    V
    小信号特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    测试条件
    分钟。
    f
    t
    C
    ob
    C
    ib
    h
    ie
    h
    oe
    h
    re
    h
    fe
    N
    F
    电流增益带宽积
    输出电容
    输入电容
    输入阻抗
    输出导纳
    电压反馈比例
    小信号电流增益
    噪声系数
    V
    CE
    = 20V
    F = 100MHz的
    V
    CB
    = 5V
    F = 1MHz的
    V
    BE
    = 0.5V
    F = 1MHz的
    V
    CE
    = 10V
    I
    C
    = 1毫安
    F = 1kHz时
    V
    CE
    = 5V
    F = 1kHz时
    R
    S
    = 1k
    W
    I
    C
    = 100
    m
    A
    1
    1
    0.5
    100
    I
    C
    = 0
    I
    E
    = 0
    I
    C
    = 10毫安
    300
    典型值。
    MAX 。 UNIT
    兆赫
    4
    8
    10
    40
    8
    400
    5
    pF
    pF
    m
    HMOS
    x 10
    -4
    —
    dB
    k
    W
    开关特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    测试条件
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    V
    CC
    = 3V
    I
    C
    = 10毫安
    V
    CC
    = 3V
    V
    BE
    = 0.5V
    I
    B1
    = 1毫安
    V
    BE
    = 0.5V
    分钟。
    典型值。
    MAX 。 UNIT
    35
    35
    200
    50
    预赛。 7/00
    ns
    I
    B1
    = I
    B2
    = 1毫安
    Semelab PLC 。
    电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
    电子信箱：
    sales@semelab.co.uk
    网址：
    http://www.semelab.co.uk

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