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    2N2907A_09 参数 Datasheet PDF下载

    2N2907A_09图片预览
    型号： 2N2907A_09
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅平面外延PNP晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 234 K
    品牌： SEME-LAB [ SEME LAB ]
     浏览型号2N2907A_09的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N2907A_09的Datasheet PDF文件第3页  
    硅平面外延
    PNP晶体管
    2N2907A
    电气特性
    （ TA = 25° C除非另有说明）
    符号
    V（ BR ） CEO
    (1)
    参数
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    集电极 - 基
    击穿电压
    发射极 - 基极击穿
    电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    集电极 - 发射极饱和
    电压
    基射极饱和
    电压
    测试条件
    IC = -10mA
    IC = -10μA
    IE = -10μA
    VCE = -30V
    VCB = -50V
    IB = 0
    IE = 0
    IC = 0
    VBE = -0.5V
    IE = 0
    TA = 150℃
    IC = -150mA
    IC = -500mA
    IC = -150mA
    IC = -500mA
    IC = -0.1mA
    IC = -1.0mA
    IB = -15mA
    IB = -50mA
    IB = -15mA
    IB = -50mA
    VCE = -10V
    VCE = -10V
    VCE = -10V
    VCE = -10V
    VCE = -10V
    分钟。
    -60
    -60
    -5
    典型值
    马克斯。
    单位
    V（ BR ） CBO
    V（ BR ） EBO
    ICEX
    ICBO
    (1)
    V
    -50
    -0.01
    -10
    -0.4
    -1.6
    -0.6
    -1.3
    -2.6
    75
    100
    100
    100
    50
    300
    nA
    µA
    VCE （ SAT ）
    V
    VBE （ SAT ）
    (1)
    的hFE
    (1)
    正向电流传输
    比
    IC = -10mA
    IC = -150mA
    IC = -500mA
    动态特性
    fT
    跃迁频率
    IC = -50mA
    F = 100MHz的
    输出电容
    VCB = -10V
    F = 1.0MHz的
    输入电容
    VEB = -2V
    F = 1.0MHz的
    开启时间
    IC = -150mA
    IB1 = -15mA
    IC = -150mA
    VCC = -30V
    VCC = -30V
    45
    ns
    300
    IC = 0
    30
    IE = 0
    8
    pF
    VCE = -20V
    200
    兆赫
    科博
    CIBO
    吨
    花花公子
    打开-O FF时间
    IB1 = - IB2 = -15mA
    笔记
    （1 ）脉冲宽度
    ≤
    300us,
    δ ≤
    2%
    Semelab有限公司
    考文垂路，拉特沃思，莱斯特郡， LE17 4JB
    电话：+44（ 0 ） 1455 556565
    传真：+44（ 0 ） 1455 552612
    电子邮件：
    sales@semelab-tt.com
    网址：
    http://www.semelab-tt.com
    文档编号3553
    问题2
    分页： 1 2 3

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