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MMBT3904 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MMBT3904
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内容描述: 200毫安, 40 V NPN塑料封装晶体管 [200 mA, 40 V NPN Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 1272 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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MMBT3904
公司Bauelemente
200毫安, 40 V
NPN塑料封装晶体管
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明) (续)
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
底座截止电流
集电极截止电流
(3)
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
BL
I
CEX
h
FE(1)
h
FE(2)
分钟。
40
60
6.0
-
-
40
70
100
60
30
-
-
0.65
-
300
-
-
1.0
0.5
100
1.0
-
马克斯。
-
-
-
50
50
(3)
单位
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
测试条件
I
C
= 1mAdc ,我
B
=0
I
C
= 10μAdc ,我
E
= 0
I
E
= 10μAdc ,我
C
=0
V
CE
= 30V直流,V
EB
= 3.0VDC
V
CE
= 30V直流,V
EB
= 3.0VDC
I
C
= 0.1mAdc ,V
CE
= 1VDC
I
C
= 1.0mAdc ,V
CE
= 1VDC
I
C
= 10mAdc ,V
CE
= 1VDC
I
C
= 50mAdc ,V
CE
= 1VDC
I
C
= 100mAdc ,V
CE
= 1VDC
I
C
= 10mAdc ,我
B
=1mAdc
I
C
= 50mAdc ,我
B
= 5mADC
I
C
= 10mAdc ,我
B
=1mAdc
I
C
= 50mAdc ,我
B
=5mAdc
I
C
= 10mAdc ,V
CE
= 20VDC , F = 100MHz的
V
CB
= 5.0VDC ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的
V
EB
= 0.5VDC ,我
C
= 0 , F = 1.0MHz的
V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0mAdc , F = 1.0kHz
开关特性
基本特征
-
-
直流电流增益
h
FE(3)
h
FE(4)
h
FE(5)
300
-
-
0.2
0.3
0.85
0.95
-
4.0
8.0
10
8.0
400
40
5.0
VDC
VDC
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
(3)
(3)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
小信号特性
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈收音机
小信号电流增益
输出导纳
噪声系数
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
H
oe
NF
兆赫
pF
pF
kΩ
x 10
-4
V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0mAdc , F = 1.0kHz
V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0mAdc , F = 1.0kHz
μmhos
V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0mAdc , F = -1.0kHz
dB
V
CE
= 5.0伏,我
C
= 100μAdc ,R
S
=1.0KΩ,
f=1.0kHz
V
CC
=3Vdc,V
BE
=-0.5Vdc
nS
I
C
= 10mAdc ,我
B1
=1mAdc
V
CC
=3Vdc,
I
C
=10mAdc,I
B1
= I
B2
=1mAdc
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意:
1.
2.
3.
FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
2.0%
td
tr
ts
tf
-
-
-
-
35
35
200
50
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
30月- 2010版本C
第2 6