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D882 参数 Datasheet PDF下载

D882图片预览
型号: D882
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内容描述: 塑料封装晶体管 [Plastic Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 272 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号D882的Datasheet PDF文件第2页  
D882
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
NPN型
塑料封装晶体管
TO-126
8.0
±0.2
2.0
±0.2
3.2
±0.2
特点
最大额定值* T
A
=25
C
除非另有说明
o
4.14
±0.1
11.0
±0.2
1
2
3
O2.8
±0.1
O
3.2
±0.1
1.4
±0.1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
P
D
T
J
, T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
器件总功耗
结温和存储温度
价值
40
30
6
3
1.25
1.25
-55-150
单位
V
V
V
A
W
W
o
1.27
±0.1
15.3
±0.2
0.76
±0.1
2.28典型。
4.55
±0.1
0.5
±0.1
C
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
单位:毫米
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
V
CE
= 2V ,我
C
= 100毫安
I
C
= 2A ,我
B
= 0.2A
I
C
= 2A ,我
B
= 0.2A
V
CE
= 5 V,I
C
=0.1mA
F = 10MHz时
50
32
0.5
1.5
V
V
兆赫
符号
V( BR )
CBO
V( BR )
首席执行官
V( BR )
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE(1)
除非另有规定编)
TEST
条件
40
30
6
1
10
1
60
400
典型值
最大
单位
V
V
V
uA
uA
uA
IC = 100uA的,我
E
=0
I
C
= 10 mA时,我
B
=0
I
E
= 100毫安,我
C
=0
V
CB
= 40 V,I
E
=0
V
CE
= 30 V,I
B
=0
V
EB
=6V ,
I
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
= 1A
分类的hFE的
(1)
范围
R
60-120
O
100-200
Y
160-320
GR
200-400
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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