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    BCV27 参数 Datasheet PDF下载

    BCV27图片预览
    型号： BCV27
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN达林顿塑料封装晶体管 [NPN Darlington Plastic Encapsulated Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 3 页 / 459 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号BCV27的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BCV27的Datasheet PDF文件第3页  
    BCV27
    公司Bauelemente
    40 V ， 500毫安
    NPN达林顿塑料封装晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    SOT-23
    A
    特点
    对于一般自动对焦的应用高集电极电流
    高电流增益
    1
    L
    3
    3
    顶视图
    2
    C B
    1
    2
    K
    E
    D
    集热器
    3
    F
    G
    H
    J
    1
    BASE
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    2
    辐射源
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    2.70
    3.04
    2.10
    2.80
    1.20
    1.60
    0.89
    1.40
    1.78
    2.04
    0.30
    0.50
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    -
    0.18
    0.40
    0.60
    0.08
    0.20
    0.6 REF 。
    0.85
    1.15
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极电流 - 峰值
    集电极耗散功率
    热阻，结到环境空气
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CM
    P
    C
    R
    θJA
    T
    J
    , T
    英镑
    等级
    40
    30
    10
    500
    800
    350
    357
    150, -65~150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    °
    C / W
    °
    C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE1
    *
    h
    FE2
    *
    h
    FE3
    *
    h
    FE4
    *
    V
    CE （ SAT ）
    *
    V
    BE （ SAT ）
    *
    f
    T
    民
    40
    30
    10
    -
    -
    4000
    10000
    20000
    4000
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    170
    3.5
    最大
    -
    -
    -
    0.1
    0.1
    -
    -
    -
    -
    1
    1.5
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    测试条件
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    = 0A
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    = 0A
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    = 0A
    V
    CB
    = 30 V，I
    E
    = 0 A
    V
    EB
    = 4 V，I
    C
    = 0 A
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =100µA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =10mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =100mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =500mA
    直流电流增益
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    跃迁频率
    V
    V
    兆赫
    pF
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =0.1mA
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =0.1mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 50mA时F = 100MHz的
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    集电极输出电容
    C
    ob
    *脉冲测试：脉冲宽度
    ≦300µS;
    Ducy周期
    ≦2.0%
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    22 -JAN- 2010版本A
    第1页3

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