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BCP69 参数 Datasheet PDF下载

BCP69图片预览
型号: BCP69
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内容描述: 硅外延晶体管 [Silicon Epitaxial Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 2 页 / 663 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号BCP69的Datasheet PDF文件第2页  
BCP69
公司Bauelemente
符合RoHS产品
PNP
晶体管
外延
晶体管
SOT-223
描述
BCP69
被设计用于固涩
in
低压和中功率
应用程序。
特点
*
V
首席执行官
: -20V
*
I
C
: 1A
REF 。
A
C
D
E
I
H
BCP69
毫米
分钟。
马克斯。
6.70
7.30
2.90
3.10
0.02
0.10
0C
10 C
0.60
0.80
0.25
0.35
REF 。
B
J
1
2
3
4
5
毫米
分钟。
马克斯。
13吨YP 。
C
2.30 REF 。
6.30
6.70
6.30
6.70
3.30
3.70
3.30
3.70
1.40
1.80
最大额定值* (T
AMB
= 25℃,除非另有规定)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温和存储温度
参数
价值
- 25
- 20
-5
-1
1.5
-65~-150
单位
V
V
V
A
W
O
o
I
C
P
D
T
J,
T
英镑
C
电气特性环境温度Tamb = 25
C
除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
集电极饱和电压
基射极电压
直流电流增益
增益带宽积
o
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE
(sat)1
*V
BE
(上)
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
fT
- 25
- 20
-5
-
-
-
-
50
85
60
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60
最大
-
-
-
- 10
- 10
- 500
- 1.0
-
375
-
-
UNI
V
V
V
uA
uA
mV
测试条件
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -10μA ,我
C
=0
V
CB
= - 25V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=-100mA
V
V
CE
= -1V ,我
C
=-1A
V
CE
= -10V ,我
C
=-5mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-500mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-1A
MH ž V
CE
= - 5V ,我
C
= -10毫安
*脉冲测试:脉冲宽度
380 S,占空比
2%
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页2