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BC847CW 参数 Datasheet PDF下载

BC847CW图片预览
型号: BC847CW
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内容描述: NPN塑料封装晶体管 [NPN Plastic Encapsulate Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 898 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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公司Bauelemente
BC846AW,BW
BC847AW , BW , CW
BC848AW , BW , CW
NPN塑料封装晶体管
电气特性(环境温度Tamb = 25° C除非另有说明)
参数
BC846W
集电极基极击穿电压
BC847W
BC848W
BC846W
集电极到发射极击穿电压
BC847W
BC848W
BC846W
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
基地发射极电压
BC846AW,BC847AW,BC848AW
BC846BW,BC847BW,BC848BW
直流电流增益
BC847CW,BC848CW
BC846AW,BC847AW,BC848AW
BC846BW,BC847BW,BC848BW
BC847CW,BC848CW
h
FE(1)
符号
V
CBO
分钟。
80
50
30
65
典型值。马克斯。单位
-
-
V
测试条件
I
C
= 10微安,我
E
= 0
V
首席执行官
45
30
6
-
-
V
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
BC847W
BC848W
V
EBO
I
CBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
6
5
-
-
-
-
-
580
-
-
110
-
-
-
-
0.7
0.9
660
-
90
150
270
-
15
0.25
0.6
-
-
700
770
-
220
V
nA
V
V
mV
I
E
= 1
μA,
I
C
= 0
V
CB
= 30 V
I
C
= 10毫安,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 10
μA
h
FE(2)
200
420
-
450
800
V
CE
= 5 V,I
C
= 2毫安
跃迁频率
集电极输出电容
BC846AW,BC847AW,BC848AW
f
T
C
Ob
NF
100
-
-
-
-
-
-
4.5
-
10
4
兆赫
pF
dB
V
CE
= 5 V,I
C
= 10 mA时, F = 100MHZ
V
CB
= 10 V , F = 1MHz的
V
CE
= 5 V,I
C
= 0.2毫安,
F = 1kHz时,R
S
= 2 KΩ,
BW = 200Hz的
噪声系数
BC846BW,BC847BW,BC848BW
BC847CW,BC848CW
24 -MAR- 2010版本A
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