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B772S 参数 Datasheet PDF下载

B772S图片预览
型号: B772S
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内容描述: PNP塑料封装晶体管 [PNP Plastic-Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 352 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号B772S的Datasheet PDF文件第2页  
B772S
公司Bauelemente
-3A , -40V
PNP塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
低速切换。
G
H
TO-92
J
分类h及
FE
产品等级
范围
B772S-R
60~120
B772S-O
100~200
B772S-Y
160~320
B772S-GR
200~400
K
A
B
D
1
辐射源
2
集热器
3
BASE
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
E
C
F
集热器
2
3
BASE
1
辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
, T
英镑
等级
-40
-30
-6
-3
625
200
150, -55~150
单位
V
V
V
A
mW
° /W
C
°
C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
分钟。
-40
-30
-6
-
-
-
60
-
-
50
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
80
马克斯。
-
-
-
-1
-10
-1
400
-0.5
-1.5
-
单位
V
V
V
µA
µA
µA
V
V
兆赫
测试条件
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -10mA ,我
B
=0
I
E
= -100μA ,我
C
=0
V
CB
= -40V ,我
E
=0
V
CE
= -30V ,我
B
=0
V
EB
= -6V ,我
C
=0
V
CE
= -2V ,我
C
= -1A
I
C
= -2A ,我
B
= -200mA
V
CE
= -2V ,我
C
= -200mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -100mA , F = 10MHz时
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
04 -MAR - 2011版本B
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