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    A92Q 参数 Datasheet PDF下载

    A92Q图片预览
    型号： A92Q
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP晶体管Pitaxial平面晶体管 [PNP Transistor Pitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 281 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号A92Q的Datasheet PDF文件第2页  
    A92Q
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    PNP晶体管
    Pitaxial平面晶体管
    S 0牛逼-89
    D
    D1
    A
    描述
    该A92Q是专为appliactaions如
    一个VIEDO输出来驱动彩色阴极射线管，或者作为
    拨号电路电子电话。
    E1
    b1
    b
    L
    E
    e
    e1
    C
    符号
    A
    b
    b1
    c
    D
    D1
    E
    E1
    e
    e1
    L
    单位：毫米
    民
    1.400
    0.320
    0.360
    0.350
    4.400
    1.400
    2.300
    3.940
    1.500TYP
    2.900
    0.900
    3.100
    1.100
    最大
    1.600
    0.520
    0.560
    0.440
    4.600
    1.800
    2.600
    4.250
    民
    尺寸以英寸
    最大
    0.063
    0.020
    0.022
    0.017
    0.181
    0.071
    0.102
    0.167
    0.060TYP
    0.114
    0.035
    0.122
    0.043
    0.055
    0.013
    0.014
    0.014
    0.173
    0.055
    0.091
    0.155
    最大额定值* （T
    AMB
    = 25℃，除非另有规定）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流（ DC ）
    总功耗
    结温和存储温度
    参数
    价值
    -300
    -300
    -5
    -500
    1
    -55~+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    W
    O
    o
    I
    C
    P
    D
    T
    J,
    T
    英镑
    C
    电气特性环境温度Tamb = 25
    C
    除非另有说明
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 基极截止电流
    发射基截止电流
    集电极饱和电压
    基本饱和电压
    o
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    *V
    CE
    （SAT）
    *V
    BE
    （SAT）
    *h
    FE
    1
    *h
    FE
    2
    *h
    FE
    3
    fT
    C
    ob
    民
    -300
    -300
    -5
    -
    -
    -
    -
    25
    40
    25
    50
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    -
    -
    -
    -250
    -100
    -500
    -900
    -
    -
    -
    -
    6
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    mV
    测试条件
    I
    C
    = -100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    =-100
    µA,
    I
    C
    =0
    V
    CB
    = -200V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = - 3V ，我
    C
    =0
    直流电流增益
    增益带宽积
    输出电容
    I
    C
    =-20mA,I
    B
    =-2mA
    mV
    I
    C
    =-20mA,I
    B
    =-2mA
    V
    CE
    = - 10 V，I
    C
    =-1mA
    V
    CE
    = - 10 V，I
    C
    =-10mA
    V
    CE
    = - 10 V，I
    C
    = - 30毫安
    MH ž
    V
    CE
    = - 20 V，I
    C
    = -10mA ， F = 100MHz的
    ,
    pF
    V
    CB
    = -20 V，I
    E
    =0
    *
    脉冲测试：脉冲宽度
    ≦
    380us ，占空比
    ≦
    2%
    http://www.SeCoSGmbH.com
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    01君2002年修订版A
    第1页2

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