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    8550SST 参数 Datasheet PDF下载

    8550SST图片预览
    型号： 8550SST
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP塑料封装晶体管 [PNP Plastic Encapsulated Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 345 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号8550SST的Datasheet PDF文件第2页  
    8550SST
    公司Bauelemente
    -1.5A ， -40V
    PNP塑料封装晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    特点
    TO-92
    通用的开关和放大。
    G
    H
    分类h及
    FE （1）
    产品等级
    范围
    8550SST-B
    85~160
    8550SST-C
    120~200
    8550SST-D
    160~300
    K
    J
    A
    B
    D
    ：辐射源
    -collector
    ： BASE
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    E
    C
    F
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.40
    4.70
    4.30
    4.70
    12.70
    -
    3.30
    3.81
    0.36
    0.56
    0.36
    0.51
    1.27 TYP 。
    1.10
    -
    2.42
    2.66
    0.36
    0.76
    集热器
    
    
    BASE
    
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极耗散功率
    从结点到环境的热阻
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    J
    , T
    英镑
    等级
    -40
    -25
    -5
    -1.5
    1
    125
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    C / W
    °C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    跃迁频率
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE （1）
    h
    FE （2）
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    民
    -40
    -25
    -5
    -
    -
    -
    85
    40
    -
    -
    100
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    -
    -
    -
    -0.1
    -0.1
    -0.1
    300
    -
    -0.5
    -1.2
    -
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    μA
    测试条件
    I
    C
    = -0.1mA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -0.1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -0.1mA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -40V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = -20V ，我
    B
    =0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    = -100mA
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    = -800mA
    I
    C
    = -800mA ，我
    B
    = -80mA
    I
    C
    = -800mA ，我
    B
    = -80mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -50mA ， F = 30MHz的
    V
    V
    兆赫
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    18 -FEB- 2011版本B
    第1页2

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