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    3DD13001 参数 Datasheet PDF下载

    3DD13001图片预览
    型号： 3DD13001
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 0.2A ， 600V NPN塑料封装晶体管 [0.2A , 600V NPN Plastic-Encapsulated Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管开关
    文件页数/大小： 2 页 / 523 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号3DD13001的Datasheet PDF文件第2页  
    3DD13001
    公司Bauelemente
    0.2A ， 600V
    NPN塑料封装晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    特点
    电源开关应用
    A
    TO-92
    D
    B
    分类h及
    FE(1)
    产品等级
    范围
    3DD13001-A
    17~23
    3DD13001-B
    20~26
    G
    H
    E
    C
    F
    3
    辐射源
    J
    1
    BASE
    2
    集热器
    3
    辐射源
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.30
    0.51
    1.27 TYP 。
    1.10
    1.40
    2.42
    2.66
    0.36
    0.76
    1
    BASE
    集热器
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    2
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.40
    4.70
    4.30
    4.70
    12.70
    -
    3.30
    3.81
    0.36
    0.56
    REF 。
    F
    G
    H
    J
    K
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极耗散功率
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    等级
    600
    400
    7
    0.2
    750
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    °
    C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    收藏家切 - 关电流
    发射器切 - 关电流
    直流电流增益
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    跃迁频率
    下降时间
    贮存时间
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE （1）
    h
    FE （2）
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    t
    F
    t
    S
    分钟。
    600
    400
    7
    -
    -
    -
    17
    5
    -
    -
    8
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    马克斯。
    -
    -
    -
    100
    200
    100
    26
    -
    0.5
    1.2
    -
    0.3
    1.5
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    测试条件
    I
    C
    = 0.1毫安，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 0.1毫安，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 600V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = 400V ，我
    B
    =0
    V
    EB
    = 7V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 20V ，我
    C
    =20mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =0.25mA
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =10mA
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =10mA
    V
    CE
    = 20V ，我
    C
    = 20mA时， F = 1MHz的
    I
    B1
    = -I
    B2
    =5mA
    V
    CC
    = 45V ，我
    C
    =50mA
    V
    V
    兆赫
    µs
    µs
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    8月19日2011年修订版A
    第1页2

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