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2SD602 参数 Datasheet PDF下载

2SD602图片预览
型号: 2SD602
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内容描述: NPN塑封装晶体管 [NPN Plastic-Encapsulate Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 1180 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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2SD602 / 2SD602A
公司Bauelemente
NPN塑封装晶体管
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿
2SD602
电压
2SD602A
集电极到发射极击穿2SD602
电压
2SD602A
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*脉冲测试:脉冲宽度≦ 350μS ,占空比≦ 2.0 %
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
*
h
FE (1)
*
h
FE (2)
*
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
分钟。
30
60
25
50
5
-
-
85
40
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
200
-
马克斯。
-
-
-
-
-
0.1
0.1
340
-
0.6
-
15
单位
V
V
V
µA
µA
测试条件
I
C
= 10μA ,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 20V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=150mA
V
CE
= 10V ,我
C
=500mA
V I
C
= 300毫安,我
B
=30mA
兆赫V
CE
= 10V ,我
C
= 50mA时F = 200MHz的
pF的V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
04 -MAR - 2011版本B
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