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2SD602A 参数 Datasheet PDF下载

2SD602A图片预览
型号: 2SD602A
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内容描述: NPN塑封装晶体管 [NPN Plastic-Encapsulate Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 348 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号2SD602A的Datasheet PDF文件第2页  
2SD602 , 602A
公司Bauelemente
NPN塑封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素和无铅
特点
对于一般的放大
补充2SB710和2SB710A
低集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
3
集热器
1
BASE
SOT-23
暗淡
A
2
辐射源
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
B
C
D
G
标识代码
2SD602 :
2SD602A :
WQ1 , WR1 , WS1
XQ , XR , XS
1
3
A
L
K
B·S
2
H
J
J
K
C
顶视图
L
S
V
V
G
D
H
单位:mm外形尺寸
绝对最大额定值在Ta = 25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Currrent
总功耗
交界处,贮存温度
2SD602
2SD602A
2SD602
2SD602A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
T
J
, T
英镑
评级
30
60
25
50
5
500
200
+150, -55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
特性在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
(脉冲测试)
直流电流增益(脉冲测试)
跃迁频率
输出电容
测试条件
I
C
= 10 μA ,我
E
= 0
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
I
E
= 10 μA ,我
C
= 0
V
CE
= 20V ,我
B
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
I
C
= 300毫安,我
B
= 30毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 150毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 500毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
2SD602
2SD602A
2SD602
2SD602A
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
首席执行官
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE(1)
h
FE(2)
f
T
C
OB
分钟。
30
60
25
50
5
-
-
-
85
40
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
单位
V
V
V
μA
μA
V
-
-
-
200
-
0.6
340
-
-
15
兆赫
pF
分类h及
FE
1
范围
2SD602
2SD602A
Q
85 - 170
85 - 170
R
120 - 240
120 - 240
S
170 - 340
170 - 340
01月, 2005年修订版A
第1页2