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    2SD2403Q 参数 Datasheet PDF下载

    2SD2403Q图片预览
    型号： 2SD2403Q
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 塑料封装晶体管 [Plastic-Encapsulate Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 298 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SD2403Q的Datasheet PDF文件第2页  
    2SD2403Q
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    D
    塑料封装晶体管
    SOT-89
    D1
    A
    特点
    • NPN硅外延平面晶体管
    开关和放大器应用。
    E1
    •该晶体管也是在TO -223的情况下与现有的
    型号命名PZT2403
    b1
    b
    L
    E
    e
    e1
    C
    机械数据
    案例：
    SOT- 89塑料包装
    重量：
    约。 0.016克
    标识代码：
    156
    1.基地
    2.收集
    3.辐射源
    符号
    A
    b
    b1
    c
    D
    D1
    E
    E1
    e
    e1
    L
    单位：毫米
    民
    1.400
    0.320
    0.360
    0.350
    4.400
    1.400
    2.300
    3.940
    1.500TYP
    2.900
    0.900
    3.100
    1.100
    最大
    1.600
    0.520
    0.560
    0.440
    4.600
    1.800
    2.600
    4.250
    民
    尺寸以英寸
    最大
    0.063
    0.020
    0.022
    0.017
    0.181
    0.071
    0.102
    0.167
    0.060TYP
    0.114
    0.035
    0.122
    0.043
    0.055
    0.013
    0.014
    0.014
    0.173
    0.055
    0.091
    0.155
    最大额定值和热特性
    (T
    A
    = 25°C除非另有说明）
    O
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流（ DC ）
    集电极电流（脉冲）
    在T功耗
    A
    = 25°C
    热阻结到Ambiant航
    结温
    存储温度范围
    注意事项：
    装置在氧化铝衬底上。
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    C
    P
    合计
    R
    θJA
    T
    j
    T
    S
    价值
    80
    60
    5.0
    3
    6
    1.0
    150
    (1)
    150
    -55到+150
    F = 30MHz的
    民
    80
    60
    5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    70
    100
    80
    40
    140
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    0.12
    0.43
    0.9
    0.8
    200
    200
    170
    80
    175
    45
    800
    -
    最大
    -
    -
    -
    100
    100
    0.2
    0.6
    1.25
    1.0
    -
    300
    -
    -
    -
    -
    -
    30
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    ° C / W
    °C
    °C
    电气特性
    (T
    J
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    发射Cotoff当前
    收藏家Cuto FF电流
    集电极 - 发射极饱和电压1
    集电极 - 发射极饱和电压2
    基射极饱和电压
    基极 - 发射极电压XXX
    直流电流增益1
    直流电流增益2
    直流电流增益3
    直流电流增益4
    增益带宽积
    ON- TIME
    关断时间
    输出电容
    http://www.SeCoSGmbH.com
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    EBO
    I
    CBO
    V
    CE(sat)1
    V
    CE(sat)2
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    h
    FE1
    h
    FE2
    h
    FE3
    h
    FE4
    f
    T
    t
    on
    t
    关闭
    C
    ob
    测试条件
    I
    C
    = 100uA的，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    = 0
    I
    E
    = 100uA的，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 4V ，我
    C
    = 0
    V
    CB
    = 60V ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    = 0.1A
    I
    C
    =
    3A ，我
    B
    =
    0.3A
    I
    C
    =
    1A ，我
    B
    =
    0.1A
    I
    C
    =
    1A ，V
    CE
    =
    2V
    V
    CE
    =
    2V ，我
    C
    =
    50毫安
    V
    CE
    =
    2V ，我
    C
    =
    500毫安
    V
    CE
    =
    2V ，我
    C
    =
    1 A
    V
    CE
    =
    2V ，我
    C
    =
    2 A
    V
    CE
    =
    5V ，我
    C
    =
    百毫安
    f=100MHz
    V
    CC
    =
    10V ，我
    C
    =
    500毫安
    I
    B1
    = I
    B2
    = 50毫安
    V
    CB
    =
    10V ，女
    =
    2兆赫
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    ns
    pF
    第1页2
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    01君2002年修订版A

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