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    2SD2118 参数 Datasheet PDF下载

    2SD2118图片预览
    型号： 2SD2118
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅通用晶体管 [NPN Silicon General Purpose Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 486 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SD2118的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2118的Datasheet PDF文件第3页  
    2SD2118
    NPN硅
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    通用晶体管
    D- PACK
    特点
    6. 50
    5. 30
    0. 15
    0. 10
    2. 30
    0. 51
    0. 05
    0. 10
    C
    5
    0. 20
    0. 10
    •
    低集电极 - 发射极电压（典型值0.25 V）
    •
    优良的直流电流增益特性
    0. 51
    0
    0. 10 1. 20
    9. 70
    0. 75
    0. 10
    5
    5
    0. 15
    0. 6
    0
    9
    0. 51
    0. 80
    0. 10
    2. 30
    0. 10
    0. 60
    2. 30
    0. 10
    0. 10
    1. 60
    B
    C
    E
    最大额定值*
    (T
    A
    =25
    o
    C
    除非另有
    特定网络版）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集热器
    耗散
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    评级
    50
    20
    6
    5
    1
    - 55~+150
    - 55~+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    °C
    °C
    电气特性（环境温度Tamb = 25
    C
    除非另有规定编）
    O
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 基极截止电流
    发射基截止电流
    集电极饱和电压
    直流电流增益
    增益带宽积
    输出电容
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE
    （SAT）
    h
    FE
    fT
    C
    ob
    民
    50
    20
    6
    -
    -
    -
    120
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    0.25
    -
    150
    30
    最大
    -
    -
    -
    0.5
    0.5
    1
    390
    -
    -
    单元。
    V
    V
    V
    µA
    µA
    V
    测试条件
    I
    C
    = 50μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    =1mA,
    I
    B
    =0
    I
    E
    = 50μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 40V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 4A ，我
    B
    =100mA
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =500mA
    兆赫
    pF
    V
    CE
    = 6V ，我
    C
    =50mA,
    f=100MHz
    V
    CB
    =20V,
    I
    E
    =0,
    f=1MHz
    分类h及
    FE
    秩
    范围
    Q
    120-270
    R
    180-390
    http://www.SeCoSGmbH.com
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    01君2002年修订版A
    页面
    1
    of
    3
    2. 70
    0. 20
    5. 50
    0. 10

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