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    2SD2118_11 参数 Datasheet PDF下载

    2SD2118_11图片预览
    型号： 2SD2118_11
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 5A ， 50V NPN塑料封装晶体管 [5A , 50V NPN Plastic Encapsulated Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 76 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
       
    2SD2118
    公司Bauelemente
    5A ， 50V
    NPN塑料封装晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    特点
    低V
    CE （ SAT ）
    . V
    CE （ SAT ）
    = 0.25V （典型值）。 （我
    C
    /I
    B
    = 4A / 0.1A)
    优良的直流电流增益特性
    D- PACK （ TO- 252 ）
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    2SD2118-Q
    120~270
    2SD2118-R
    180~390
    A
    B
    C
    D
    包装信息
    包
    TO-252
    MPQ
    2.5K
    负责人尺寸
    13英寸
    集热器
    M
    K
    GE
    HF
    N
    O
    P
    J
    2
    REF 。
    1
    BASE
    3
    辐射源
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    6.35
    6.8
    5.20
    5.50
    2.15
    2.40
    0.45
    0.58
    6.8
    7.5
    2.40
    3.0
    5.40
    6.25
    0.64
    1.20
    REF 。
    J
    K
    M
    N
    O
    P
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    2.30 REF 。
    0.64
    0.90
    0.50
    1.1
    0.9
    1.65
    0
    0.15
    0.43
    0.58
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    ,T
    英镑
    评级
    50
    20
    6
    5
    1
    150 , -55~150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    °
    C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    OB
    分钟。
    50
    20
    6
    -
    -
    120
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    150
    30
    马克斯。
    -
    -
    -
    0.5
    0.5
    390
    1
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    测试条件
    I
    C
    = 50μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 50μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 40V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =500mA
    V
    兆赫
    pF
    I
    C
    = 4A ，我
    B
    =100mA
    V
    CE
    = 6V ，我
    C
    = 50mA时F = 100MHz的
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    11月18日2011版本A
    第1页1

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