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    2SD2114 参数 Datasheet PDF下载

    2SD2114图片预览
    型号： 2SD2114
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN塑料封装晶体管 [NPN Plastic Encapsulated Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 411 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SD2114的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2114的Datasheet PDF文件第3页  
    2SD2114
    公司Bauelemente
    0.5 A ， 25 V
    NPN塑料封装晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素和无铅
    特点
    高直流电流增益：H
    FE
    = 1200 （典型值）
    高发射极 - 基极电压。 V
    EBO
    = 12V （最小值）
    低V
    CE （SAT）
    . V
    CE （SAT）
    = 0.18V （典型值）。 （我
    C
    /I
    B
    = 500毫安/ 20mA）的
    包装尺寸
    3
    集热器
    1
    BASE
    SOT-23
    暗淡
    A
    2
    辐射源
    民
    2.800
    1.200
    0.890
    0.370
    1.780
    0.013
    0.085
    0.450
    0.890
    2.100
    0.450
    最大
    3.040
    1.400
    1.110
    0.500
    2.040
    0.100
    0.177
    0.600
    1.020
    2.500
    0.600
    B
    C
    D
    G
    A
    L
    3
    H
    K
    B·S
    2
    J
    J
    K
    C
    顶视图
    1
    L
    S
    V
    V
    G
    D
    H
    单位：mm外形尺寸
    绝对最大额定值在Ta = 25°C
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极耗散功率
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    Pc
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    25
    20
    12
    500
    250
    +150, -55 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    特性在TA = 25℃
    符号
    BVCBO
    BVCEO
    BVEBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    *h
    FE
    1
    V
    CE （ SAT ）
    fT
    C
    OB
    R
    （上）
    分钟。
    25
    20
    12
    -
    -
    820
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    350
    8
    0.8
    马克斯。
    -
    -
    -
    0.5
    0.5
    2700
    0.4
    -
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    uA
    uA
    I
    C
    =10uA
    I
    C
    =1mA
    I
    E
    =10uA
    V
    CB
    =20V
    V
    EB
    =10V
    V
    CE
    = 3V ，我
    C
    =10mA
    V
    兆赫
    pF
    Ω
    测试条件
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =20mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 50mA时F = 100MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    IN
    =0.1V(rms),I
    B
    = 1mA时， F = 1KHz的
    分类h及
    FE
    1
    秩
    范围
    记号
    01月， 2005年修订版A
    V
    820 - 1800
    BBV
    W
    1200 - 2700
    BBW
    第1页3

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