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    2SD1994A 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1994A图片预览
    型号： 2SD1994A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN通用晶体管 [NPN General Purpose Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 660 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SD1994A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1994A的Datasheet PDF文件第3页  
    2SD1994A
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素和无铅
    NPN
    通用晶体管
    特点
    低集电极 - 发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    让供应与径向编带
    G
    H
    TO-92
    1Emitter
    2Collector
    3Base
    D
    B
    K
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.40
    4.70
    4.30
    4.70
    12.70
    -
    3.30
    3.81
    0.36
    0.56
    0.36
    0.51
    1.27 TYP 。
    1.10
    -
    2.42
    2.66
    0.36
    0.76
    J
    A
    集热器
    2
    3
    BASE
    E
    C
    F
    1
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    a
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    总功耗
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    60
    50
    5
    1
    1
    +150, -55 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    °C
    电气特性
    (T
    a
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    收藏家切 - 断电流
    发射器切 - 关断电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基地 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    COB
    分钟。
    60
    50
    5
    -
    -
    85
    50
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    200
    -
    马克斯。
    -
    -
    -
    0.1
    0.1
    340
    -
    0.4
    1.2
    -
    20
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    测试条件
    I
    C
    = 10
    μA,
    I
    E
    = 0
    I
    C
    = 2毫安，我
    B
    = 0
    I
    E
    = 10
    μA,
    I
    C
    = 0
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 500毫安
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 1 A
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    V
    CE
    = 10V ，我
    B
    = 50 mA时， F = 200MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    V
    兆赫
    pF
    分类h及
    FE(1)
    秩
    范围
    Q
    85 - 170
    R
    120 - 240
    S
    170 - 340
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    01月， 2008年修订版B
    第1页3

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