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2SD1949 参数 Datasheet PDF下载

2SD1949图片预览
型号: 2SD1949
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内容描述: NPN硅通用晶体管 [NPN Silicon General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 138 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号2SD1949的Datasheet PDF文件第1页  
2SD1949
NPN硅
公司Bauelemente
通用晶体管
电气特性曲线
200
V
CE
=6V
100
集电极电流:我
C
(MA )
0.50
V
CE
=6V
0.45
0.40
0.35
1000
500
直流电流增益ħ
FE
TA = 25℃
集电极电流:我
C
(MA )
100
50
20
10
C
80
60
0.30
0.25
200
1V
V
CE
=3V
25 C
Ta=100
-25 C
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
0.2
40
0.20
0.15
100
20
0.10
0.05
I
B
=0mA
50
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
0
1
2
3
4
5
0.1 0.2 0.5 1 2
5 10 20
50 100 200 500
基地电压: V
BE
(V)
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
图1地面发射器传播
特征
图2地面发射极输出特性
图3直流电流增益与集电极电流( )
1000
500
直流电流增益ħ
FE
TA = 75℃
25 C
V
CE
=10V
集电极饱和
电压: V
CE
( SAT ) (V )
TA = 25℃
0.5
集电极饱和
电压: V
CE
( SAT ) (V )
0.5
I
C
/I
B
=10
0.2
100/1
I
C
/I
B
=
50/1
200
-25 C
0.2
0.1
100
0.1
50
0.05
20/1
10/1
0.05
25 C
TA = 75℃
-25 C
20
1
2
5
10 20
50 100 200 500 1000
0.02
5
10
20
50 100 200
500
0.02
5
10 20
50 100 200 500 1000
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
图4直流电流增益与集电极currnet ( )
图5集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图6集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
集电极输出电容:玉米棒(PF )
发射极输入电容: CIB (PF )
50
兴业银行
20
COB
10
集电极饱和
电压: V
CE
( SAT ) (V )
TA = 25℃
f=1MHz
I
E
=0A
TA = 25℃
500
V
CE
=6V
200
5
100
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
-1
-2
-5
-10
-20
-50
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
发射极 - 基极电压: V
EB
(V)
发射极电流:我
E
(MA )
图7投入和产出能力
vs.voltage特点
图8跃迁频率
vs.emitter电流
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的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
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