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    2SD1781 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1781图片预览
    型号： 2SD1781
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅塑封晶体管 [NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 73 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SD1781的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1781的Datasheet PDF文件第3页  
    2SD1781
    公司Bauelemente
    0.8A ， 40V
    NPN硅塑封晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    SOT-23
    特点
    非常低V
    CE
    （SAT） .V
    CE
    （SAT） < 0.4V（典型值）。
    (I
    C
    /I
    B
    = 500毫安/ 50毫安）
    补充到2SB1197
    A
    L
    3
    3
    顶视图
    1
    2
    C B
    1
    2
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    记号
    2SD1781-Q
    120 ~ 270
    AFQ
    K
    E
    D
    2SD1781-R
    180 ~ 390
    AFR
    F
    G
    H
    J
    包装信息
    包
    SOT-23
    MPQ
    3K
    LeaderSize
    7'寸
    
    辐射源
    集热器
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    2.80
    3.00
    2.25
    2.55
    1.20
    1.40
    0.90
    1.15
    1.80
    2.00
    0.30
    0.50
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.10 REF 。
    0.55 REF 。
    0.08
    0.15
    0.5 REF 。
    0.95典型。
    
    BASE
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极耗散功率
    结温和存储温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    40
    32
    5
    0.8
    200
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    °C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    分钟。
    40
    32
    5
    -
    -
    120
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    150
    10
    马克斯。
    -
    -
    -
    0.5
    0.5
    390
    0.4
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    测试条件
    I
    C
    = 50
    A，I
    E
    = 0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    = 0
    I
    E
    = 50
    A，I
    C
    = 0
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    = 0
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    = 3V
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    = 50mA时F = 100MHz的
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0 ， F = 1.0MHz的
    A
    A
    V
    兆赫
    pF
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    30月- 2010版本A
    第1页3

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