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型号: 2SD1767
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内容描述: 0.7A , 80V NPN塑料封装晶体管 [0.7A , 80V NPN Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 75 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
   
2SD1767
公司Bauelemente
0.7A , 80V
NPN塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
高击穿电压和电流
出色的直流电流增益线性度
补充2SB1189
SOT-89
4
分类h及
FE
产品等级
范围
记号
2SD1767-P
82~180
DCP
2SD1767-Q
120~270
DCQ
2SD1767-R
180~390
DCR
集热器
B
F
G
H
A
E
B C
3
E
C
1
2
D
K
J
L
包装信息
SOT-89
MPQ
1K
负责人尺寸
7寸
1
BASE
2
REF 。
A
B
C
D
E
F
3
辐射源
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.60
3.94
4.25
1.40
1.60
2.25
2.60
1.50
1.85
0.89
1.20
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.40
0.58
1.50 TYP
3.00 (典型值)
0.32
0.52
0.35
0.44
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极耗散功率
最大结到环境
结&储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
, T
英镑
评级
80
80
5
700
500
250
150, -55~150
单位
V
V
V
mA
mW
° /W
C
°
C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
OB
分钟。
80
80
5
-
-
-
82
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
120
10
马克斯。
-
-
-
0.5
0.5
390
0.4
-
-
单位
V
V
V
µA
µA
测试条件
I
C
= 50μA ,我
E
=0
I
C
= 2毫安,我
B
=0
I
E
= 50μA ,我
C
=0
V
CB
= 50V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 3V ,我
C
= 100毫安
V
兆赫
pF
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
V
CE
=10V,I
C
=50mA,f=100MH
z
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
10 -NOV- 2011版本A
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