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    2SC5706D 参数 Datasheet PDF下载

    2SC5706D图片预览
    型号： 2SC5706D
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅通用晶体管 [NPN Silicon General Purpose Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 497 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SC5706D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC5706D的Datasheet PDF文件第3页  
    2SC5706
    NPN硅
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    D
    通用晶体管
    TO-252
    6. 50
    5. 30
    0. 15
    0. 10
    2. 30
    0. 51
    0. 05
    0. 10
    特点
    9. 70
    0. 75
    •
    大电流电容
    •
    低集电极 - 发射极饱和电压
    •
    高速开关
    •
    高允许功耗
    标记： 5706
    （有日期代码）
    C
    5
    0. 20
    0. 10
    0. 51
    0
    0. 10 1. 20
    0. 10
    5
    5
    0. 15
    0. 6
    0
    9
    0. 51
    0. 80
    0. 10
    2. 30
    0. 10
    0. 60
    2. 30
    0. 10
    0. 10
    最大额定值* T
    A
    = 25除非另有说明
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    基极电流
    结温
    储存温度
    总功耗
    符号
    V
    CBO
    V
    CES
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CBO
    I
    CP
    I
    B
    T
    j
    T
    英镑
    P
    D
    P
    D
    (TC=25°C)
    O
    1. 60
    B
    评级
    80
    80
    50
    6
    5
    7.5
    1.2
    +150
    -55~+150
    0.8
    15
    C
    E
    单位
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    °C
    °C
    W
    W
    电气特性（环境温度Tamb = 25
    C
    除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 基极截止电流
    发射基截止电流
    集电极饱和电压1
    集电极饱和电压2
    基本饱和电压
    直流电流增益
    增益带宽积
    输出电容
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    http://www.SeCoSGmbH.com
    符号
    BV
    CBO
    BV
    CES
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    *V
    CE
    (sat)1
    *V
    CE
    (sat)2
    *V
    BE
    （SAT）
    *h
    FE
    fT
    C
    ob
    吨
    TSTG
    tf
    民
    80
    80
    50
    6
    -
    -
    -
    -
    -
    200
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    400
    15
    35
    300
    20
    最大
    -
    -
    -
    -
    1
    1
    135
    240
    1.2
    560
    -
    -
    -
    -
    -
    单元。
    V
    V
    V
    V
    µA
    µA
    mV
    mV
    V
    测试条件
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 100μA ，R
    BE
    =0
    I
    C
    = 1毫安，R
    BE
    =∞
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 40V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =50mA
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    =100mA
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    =100mA
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =500mA
    兆赫
    pF
    ns
    ns
    ns
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =500mA
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    见指定的测试电路。
    见指定的测试电路。
    见指定的测试电路。
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    01君2002年修订版A
    第1页3
    2. 70
    0. 20
    5. 50
    0. 10

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