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2SC5585 参数 Datasheet PDF下载

2SC5585图片预览
型号: 2SC5585
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内容描述: NPN硅通用晶体管 [NPN Silicon General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 168 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号2SC5585的Datasheet PDF文件第2页  
2SC5585
公司Bauelemente
符合RoHS产品
NPN硅
通用晶体管
特点
HIGH CURRENT
低V
CE ( SAT )
- V
CE ( SAT )
为250mV ,在我
C
= 200毫安/ I
B
=10mA
A
SOT-523
暗淡
A
B
C
D
S
2
3
顶视图
1
1.50
0.78
0.80
0.28
0.90
0.00
0.10
0.35
0.49
1.50
最大
1.70
0.82
0.82
0.32
1.10
0.10
0.20
0.41
0.51
1.70
标识代码
BX
L
B
G
H
D
3.
集热器
2.
BASE
J
K
C
J
K
G
L
S
1.
辐射源
H
单位:mm外形尺寸
最大额定值
(Ta=25
o
C
除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
(连续)
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
价值
15
12
6
0.5
0.15
-55~+150
-55~+150
单位
V
V
V
A
W
o
o
C
C
电气特性
(Tamb=25
o
C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流
收益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
分钟。
15
12
6
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
μA
μA
条件
I
C
=10
μA,
I
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
=10
μA,
I
C
=0
V
CB
= 15V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=10mA
0.1
0.1
270
680
0.25
320
7.5
V
兆赫
pF
I
C
=的200mA,我
B
=10mA
V
CE
= 2V ,我
C
= 10毫安中,f = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
集热器
输出电容
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
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