2SC5343
NPN晶体管
公司Bauelemente
符合RoHS产品
塑料封装晶体管
的" - C"后缀指定卤素&无铅
TO-92
特点
*优秀ħ
FE
线性
: h
FE(2)
= 100 （典型值），在V
CE
=6V,I
C
=150mA
: h
FE
(I
C
=0.1mA)/h
FE
(I
C
=2mA)=0.95(Typ)
*低噪音： NF = 1dB的地方（典型值） 。在f = 1KHz的
4.55
±0.2
3.5
±0.2
4.5
±0.2
(1.27
TYP 。 ）
1.25
–0.2
1 2 3
2.54
±0.1
+0.2
14.3
±0.2
0.46
+0.1
–0.1
0.43
+0.08
–0.07
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
集电极 - 基极电压
Ta=25
C除非另有说明
参数
价值
60
50
5
150
50
0.2
-55~+150
单位
V
V
V
mA
mA
W
O
o
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流连续
总功耗
结温和存储温度
o
I
C
I
B
P
D
T
J,
T
英镑
C
电气特性环境温度Tamb = 25
C
除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
集电极饱和电压
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
噪声系数
符号
B
（ BR ） CBO
B
（ BR ） CEO
B
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE
（SAT）
h
FE
1
fT
C
ob
NF
民
60
50
5
-
-
-
70
80
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.1
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.1
0.1
0.25
700
-
3.5
10
单位
V
V
V
uA
uA
V
MH ž
pF
dB
测试条件
I
C
=100µA,I
E
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=10µA,I
C
=0
V
CB
=60V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
I
C
=100mA,I
B
=10mA
V
CE
= 6 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 10 V，I
C
=1mA
V
CB
= 10 V ， F = 1MHz时，我
E
=0
V
CE
= 6 V，I
C
= 0.1毫安中，f = 1KHz时， RG = 10K
分类
秩
范围
h
FE(1)
O
70-140
Y
120-240
G
200-400
L
300-700
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
