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    2SC4617_11 参数 Datasheet PDF下载

    2SC4617_11图片预览
    型号： 2SC4617_11
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅通用晶体管 [NPN Silicon General Purpose Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 342 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SC4617_11的Datasheet PDF文件第2页  
    2SC4617
    公司Bauelemente
    0.15A ， 60V
    NPN硅通用晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素和无铅
    特点
    低C
    ob
    . C
    ob
    =2.0pF
    2SA1774补
    A
    M
    3
    SOT-523
    3
    顶视图
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    记号
    2SC4617-Q
    120~270
    BQ
    2SC4617-R
    180~390
    BR
    2SC4617-S
    270~560
    BS
    F
    K
    C B
    1
    2
    2
    1
    L
    E
    D
    G
    REF 。
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    1.5
    1.7
    1.45
    1.75
    0.75
    0.85
    0.7
    0.9
    0.9
    1.1
    0.15
    0.25
    H
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    M
    J
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    -
    0.1
    0.55 REF 。
    0.1
    0.2
    -
    0.5 TYP 。
    0.25
    0.325
    包装信息
    包
    SOT-523
    MPQ
    3K
    LeaderSize
    7'寸
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    集热器
    3
    1
    BASE
    2
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    收藏家Currrent
    集电极耗散功率
    结&储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    60
    50
    7
    150
    150
    150, -55 ~ 150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极饱和电压*
    直流电流增益
    跃迁频率
    集电极输出电容
    *
    脉冲测试：脉冲宽度
    ≤300us ， D.C ≤
    2%
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    h
    FE
    f
    T
    C
    ob
    分钟。
    60
    50
    7
    -
    -
    -
    120
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    180
    -
    马克斯。
    -
    -
    -
    0.1
    0.1
    0.4
    560
    -
    3.5
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    V
    测试条件
    I
    C
    = 50μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 50μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 60V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 7V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = 50mA时我
    B
    =5mA
    V
    CE
    = 6V ，我
    C
    =1mA
    兆赫
    pF
    V
    CE
    = 12V，我
    E
    = 2毫安中，f = 100MHz的
    V
    CB
    = 12V，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    24月- 2011 Rev. D的
    第1页2

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