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    2SC4373 参数 Datasheet PDF下载

    2SC4373图片预览
    型号： 2SC4373
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN塑封装晶体管 [NPN Plastic-Encapsulate Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 75 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
       
    2SC4373
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    0.8 A ， 120 V
    NPN塑封装晶体管
    特点
    小型扁平封装。
    大电流的能力。
    SOT-89
    4
    1
    2
    3
    C
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    记号
    2SC4373-O
    80~160
    CO
    2SC4373-Y
    120~240
    CY
    B
    F
    G
    H
    A
    E
    D
    K
    J
    L
    包装信息
    REF 。
    包
    SOT-89
    MPQ
    1K
    负责人尺寸
    7寸
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.40
    4.60
    3.94
    4.25
    1.40
    1.60
    2.30
    2.60
    1.50
    1.70
    0.89
    1.20
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.40
    0.58
    1.50 TYP
    3.00 （典型值）
    0.32
    0.52
    0.35
    0.44
    集热器
    2
    1
    BASE
    3
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流
    集电极耗散功率
    热阻结到环境
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    J
    , T
    英镑
    等级
    120
    120
    5
    800
    500
    250
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ° /W
    C
    °
    C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极电压
    跃迁频率
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    集电极输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    f
    T
    C
    ob
    民
    120
    120
    5
    -
    -
    80
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    120
    -
    最大
    -
    -
    -
    0.1
    0.1
    240
    1
    1
    -
    30
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    测试条件
    I
    C
    = 1mA时，我
    E
    =0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0
    I
    E
    = 1mA时，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 120 V，I
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =100mA
    V
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =50mA
    V
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =500mA
    兆赫V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =500mA
    规范的更改将不会
    pF
    任何
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    个别通知。
    09军2011年修订版A
    第1页1

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