2SC4115S
公司Bauelemente
NPN硅
通用晶体管
电气特性曲线
10
5
集电极电流：我
C
(A)
V
CE
=2V
2
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
5m
2m
1m
0
Ta=100°C
25°C
−40°C
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
1.6
20mA
18mA
16mA
14mA
Ta=25°C
12mA
10mA
8mA
6mA
5
50mA
45mA
40mA
4
Ta=25°C
35mA
30mA
25mA
20mA
15mA
10mA
1.2
3
4mA
0.8
2
5mA
2mA
0.4
1
I
B
=0A
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
I
B
=0A
1.0
0
0
1
2
3
4
5
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
Fig.1
发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特点（ ）
Fig.3
接地发射极输出
特点（ ）
5000
2000
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
=
2V
2
1
0.5
0.2
0.1
50m
20m
10m
5m
Ta=100°C
25°C
−40°C
I
C
/I
B
=10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
5m
2m
l
C
/l
B
=20
Ta=100°C
25°C
−40°C
直流电流增益：H
FE
1000
500
200
100
50
20
10
Ta=100°C
25°C
−40°C
5
1m
2m 5m0.010.02 0.05 0.10.2 0.5 1 2
集电极电流：我
C
(A)
5 10
2m
1m 2m 5m10m20m50m0.1 0.2 0.5 1 2
集电极电流：我
C
(A)
5 10
1m
1m 2m 5m 0.010.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2
5 10
集电极电流：我
C
(A)
Fig.4
直流电流增益主场迎战
集电极电流
Fig.5
集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流（ ）
Fig.6
集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流（ ）
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=20
跃迁频率：F
T
（兆赫）
1
0.5
0.2
0.1
50m
20m
10m
5m
2m
1m 2m 5m10m20m50m
0.1
0.2 0.5 1 2
集电极电流：我
C
(A)
5 10
500
200
100
50
20
10
5
2
1
−1
−2
Ta=25°C
V
CE
=2V
集电极输出电容：C
ob
（PF ）
发射极输入电容：C
ib
（PF ）
2
1000
1000
500
Ta=25°C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
200
100
C
ob
Ta=100°C
25°C
−40°C
C
ob
50
20
10
0.1 0.2
−5 −10 −20 −50 −100 −200 −500 −1000
发射极电流：我
E
（MA ）
0.5
1
2
5
10
20
50
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
Fig.7
集电极 - 发射极
饱和电压与
集电极电流（ ）
Fig.8
增益带宽积主场迎战
发射极电流
Fig.9
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
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