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2SC4081F 参数 Datasheet PDF下载

2SC4081F图片预览
型号: 2SC4081F
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内容描述: NPN硅通用晶体管 [NPN Silicon General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 499 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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2SC4081F
NPN硅
公司Bauelemente
符合RoHS产品
通用晶体管
特征
·
·
较低的玉米棒。 COB = 2.0 pF的(典型值)。
补语
在2SA1576A
A
集热器
SOT-323
暗淡
A
B
L
B·S
1.800
1.150
0.800
0.300
1.200
0.000
0.100
0.350
0.590
2.000
0.280
最大
2.200
1.350
1.000
0.400
1.400
0.100
0.250
0.500
0.720
2.400
0.420
C
D
2
3
3
顶视图
1
BASE
1
G
H
J
K
V
2
辐射源
1
2
3
G
C
D
H
K
J
L
S
V
标识代码: 5BX
X =的hFE排名代码
单位:mm外形尺寸
绝对最大额定值在TA = 25
参数
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Tj
TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
评级
+150
-55~+150
60
50
7
150
225
V
V
V
mA
mW
单位
特征
在Ta = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射基截止电流
集电极饱和电压1
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
fT
COB
60
50
7
-
-
-
120
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
180
2
最大
-
-
-
100
100
400
560
-
3.5
单位
V
V
V
nA
nA
mV
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
=50uA
I
C
=1mA
I
E
=50uA
V
CB
=60V
V
EB
=7V
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
V
CE
= 6V ,我
C
=1mA
V
CE
= -12V ,我
C
= 2毫安中,f = 100MHz的
V
CB
= -12V , F = 1MHz时,我
E
=0
*脉冲测试:脉冲宽度= 380us ,占空比
2%
分类h及
FE
Q
R
S
范围
120 - 270
180 - 390
270 - 560
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页3