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    2SC3650_11 参数 Datasheet PDF下载

    2SC3650_11图片预览
    型号： 2SC3650_11
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1.2 A ， 30 V NPN塑封装晶体管 [1.2 A , 30 V NPN Plastic-Encapsulate Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 266 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SC3650_11的Datasheet PDF文件第2页  
    2SC3650
    公司Bauelemente
    1.2 A ， 30 V
    NPN塑封装晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    特点
    小型扁平封装。
    大电流的能力。
    SOT-89
    4
    高直流电流增益
    低V
    CE （ SAT ）
    1
    A
    E
    2
    3
    C
    应用
    低频放大器，各种驱动程序，静音电路
    B
    F
    G
    H
    J
    D
    K
    L
    记号
    CF
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    包装信息
    包
    SOT-89
    MPQ
    1K
    负责人尺寸
    7寸
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.40
    4.60
    3.94
    4.25
    1.40
    1.60
    2.30
    2.60
    1.50
    1.70
    0.89
    1.20
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.40
    0.58
    1.50 TYP
    3.00 （典型值）
    0.32
    0.52
    0.35
    0.44
    集热器
    2
    1
    BASE
    3
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流
    集电极耗散功率
    热阻结到环境
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    J
    , T
    英镑
    等级
    30
    25
    15
    1.2
    500
    250
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    ° /W
    C
    °
    C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    f
    T
    C
    ob
    民
    30
    25
    15
    -
    -
    800
    600
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    200
    17
    最大
    -
    -
    -
    0.1
    0.1
    3200
    -
    0.5
    1.2
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    测试条件
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 10V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =500mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =10mA
    V
    V
    兆赫
    pF
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =10mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =10mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =50mA
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    规范的任何更改将不个别通知。
    02 -NOV- 2011版本B
    第1页2

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