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2SC3650 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC3650
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内容描述: NPN硅外延平面晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 3 页 / 220 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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2SC3650
NPN硅
公司Bauelemente
符合RoHS产品
外延平面晶体管
SOT-89
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
高直流电流增益
电流容量大
低频放大器,各种驱动程序,静音电路
最大额定值(T
A
=25
o
C除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
30
25
15
1.2
500
150
-55-150
单位
V
V
V
A
mW
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 Q TYP 。
0.70 REF 。
电气特性(环境温度Tamb = 25
o
C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
记号
CF
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
V
CE
= 5V ,我
C
=10 A
I
C
= 500 A,I
B
=10mA
I
C
= 500 A,I
B
=10mA
V
CE
= 10 V,I
C
=50mA
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
220
17
600
0.5
1.2
V
V
兆赫
pF
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
TEST
I
C
=10
µA,
I
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
=10
µA,
I
C
=0
V
CB
= 20V ,我
E
=0
V
EB
= 10 V,I
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=500mA
800
条件
30
25
15
0.1
0.1
3200
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
08月, 2007年修订版A
第1页3