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2SC3279 参数 Datasheet PDF下载

2SC3279图片预览
型号: 2SC3279
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内容描述: NPN晶体管塑封装晶体管 [NPN Transistor Plastic-Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 308 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号2SC3279的Datasheet PDF文件第2页  
2SC3279
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
NPN晶体管
塑料封装晶体管
TO-92
功绩
URES
高直流电流增益和优良的ħ
FE
线性
低饱和电压
4.55
±0.2
3.5
±0.2
4.5
±0.2
(1.27
TYP 。 )
1.25
–0.2
1 2 3
2.54
±0.1
+0.2
14.3
±0.2
0.46
+0.1
–0.1
0.43
+0.08
–0.07
1 :发射器
2 :收藏家
3 :基本
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
集电极耗散功率
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
价值
30
10
6
2
750
150, -55~150
单位
V
V
V
A
mW
°C
电气特性
(环境温度Tamb = 25° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
测试条件
I
C
= 1mA时,我
E
= 0
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
I
E
= 1mA时,我
C
= 0
30
10
6
典型值
最大
单位
V
V
V
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极耗散功率
跃迁频率
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
C
ob
f
T
V
CB
= 30V ,我
E
= 0
V
EB
= 6V ,我
C
= 0
V
CE
= 1V ,我
C
= 0.5A
I
C
= 2A ,我
B
= 100毫安
I
C
= 2A ,V
CE
= 1V
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CE
= 1V ,我
C
= 0.5A
0.1
0.1
140
600
0.82
1.5
27
150
A
A
V
V
pF
兆赫
分类的hFE的
范围
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
L
140-240
M
200-330
N
300-450
P
420-600
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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