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2SC2883 参数 Datasheet PDF下载

2SC2883图片预览
型号: 2SC2883
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内容描述: NPN塑封装晶体管 [NPN Plastic-Encapsulate Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 365 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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2SC2883
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
1.5 A , 30 V
NPN塑封装晶体管
特点
SOT-89
4
低电压。
1
A
分类h及
FE
产品等级
范围
记号
2SC2883-O
100~200
GO
2SC2883-Y
160~320
GY
B
F
G
H
2
3
C
E
D
K
J
L
包装信息
REF 。
SOT-89
MPQ
1K
LeaderSize
7'寸
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.60
3.94
4.25
1.40
1.60
2.30
2.60
1.50
1.70
0.89
1.20
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.40
0.58
1.50 TYP
3.00 (典型值)
0.32
0.52
0.35
0.44
集热器


BASE

辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流
集电极耗散功率
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
等级
30
30
5
1.5
500
150, -55~150
单位
V
V
V
A
mW
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
30
30
5
-
-
100
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
120
-
最大
-
-
-
0.1
0.1
320
2
1
-
40
单位
V
V
V
μA
μA
V
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 1mA时,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
= 1mA时,我
C
=0
V
CB
= 30V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=500mA
I
C
= 1.5A ,我
B
=30mA
V
CE
= 2V ,我
C
=500mA
V
CE
= 2V ,我
C
= 500毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
14 -JAN- 2010版本A
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