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2SC2873 参数 Datasheet PDF下载

2SC2873图片预览
型号: 2SC2873
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内容描述: NPN硅外延平面晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 219 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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2SC2873
NPN硅
公司Bauelemente
符合RoHS产品
外延平面晶体管
SOT-89
特点
低饱和电压
高速开关时间
为了配合生产的2SA1213
最大额定值(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
50
50
5
2
500
150
-55-150
单位
V
V
V
A
mW
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 Q TYP 。
0.70 REF 。
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
启动时间
开关时间
贮存时间
下降时间
分类
范围
记号
h
FE(1)
O
70-140
MO
Y
120-240
MY
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CC
= 30V ,我
C
= 1A ,我
B1
=-I
B2
=0.05A
V
CE
= 2V ,我
C
=2A
I
C
= 1A ,我
B
=50mA
I
C
= 1A ,我
B
=50mA
V
CE
= 2V ,我
C
=500mA
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
120
30
0.1
1.0
0.1
μs
40
0.5
1.2
V
V
兆赫
pF
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
TEST
条件
50
50
5
0.1
0.1
70
240
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
= 100ìA ,我
C
=0
V
CB
= 50V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=500mA
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
08月, 2007年修订版A
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