2SC2717
公司Bauelemente
0.05A ， 30V
NPN塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
TO-92
G
H
高增益：摹
pe
= 33分贝（典型值） （ F = 45MHz时）
h的线性度好
FE
J
A
B
K
D
： BASE
：辐射源
-collector
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
E
C
F
集热器
BASE
辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
交界处，贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
等级
30
25
4
50
300
125, -55~125
单位
V
V
V
mA
mW
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家切 - 关电流
发射器切 - 关电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
集电极基时间常数
功率增益
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
C
C.rbb “
GPE
分钟。
30
25
4
-
-
40
-
-
300
0.8
-
28
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
240
0.2
1.5
-
2
25
36
单位
V
V
V
μA
μA
V
V
兆赫
pF
ps
dB
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
EB
= 3V ，我
C
=0
V
CE
= 12.5V ，我
C
=12.5mA
I
C
= 15毫安，我
B
=1.5mA
I
C
= 15毫安，我
B
=1.5mA
V
CE
= 12.5V ，我
C
=12.5mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F = 30MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= -1mA ， F = 30MHz的
V
CC
= 12.5V ，我
E
=-12.5mA,
f=45MHz
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
3月14日2011版本A
第1页3
SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
