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2SC2412K 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC2412K
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内容描述: NPN硅通用晶体管 [NPN Silicon General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 262 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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2SC2412K
公司Bauelemente
NPN硅
通用晶体管
的" - C"后缀指定卤素&无铅
特点
n
A
L
3
顶视图
SC-59
暗淡
A
2.70
1.30
1.00
0.35
1.70
0.00
0.10
0.20
1.25
2.25
最大
3.10
1.70
1.30
0.50
2.30
0.10
0.26
0.60
1.65
3.00
较低的玉米棒。
Cob=2.0pF
Compements的2SA1037K
符合RoHS产品
S
n
n
n
2
B
1
B
C
D
结构
G
n
n
D
G
H
C
J
K
外延平面型
NPN硅Teansistor
H
J
K
L
3
集热器
BASE
2
1
辐射源
S
单位:mm外形尺寸
!
绝对最大
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
60
50
7
0.15
单位
V
V
V
A
集电极耗散功率
P
C
0.2
W
°C
°C
结温
储存温度
Tj
TSTG
150
−55~+150
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
COB
分钟。
60
50
7
120
典型值。
180
2
马克斯。
0.1
0.1
560
0.4
3.5
单位
V
V
V
µA
µA
V
兆赫
pF
I
C
=50µA
I
C
=1mA
I
E
=50µA
V
CB
=60V
V
EB
=7V
条件
V
CE
= 6V ,我
C
=1mA
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
= 12V,我
E
= -2mA , F = 100MHz的
V
CE
= 12V,我
E
= 0A , F = 1MHz的
输出电容
h
FE
值被分类如下:
h
FE
记号
Q
120~270
BQ
R
180~390
BR
S
270~560
BS
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页3