欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SC2001 参数 Datasheet PDF下载

2SC2001图片预览
型号: 2SC2001
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN塑料封装晶体管 [NPN Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 474 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号2SC2001的Datasheet PDF文件第2页  
2SC2001
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
0.7 A , 30 V
NPN塑料封装晶体管
特点
TO-92
G
H
高ħ
FE
低V
CE ( SAT )
h
FE
(I
C
=100mA):200(Typ)
V
CE ( SAT )
(700mA):0.2V(Typ)
J
分类h及
FE
产品等级
范围
2SC2001-M
90~180
2SC2001-L
135~270
2SC2001-K
200~400
K
A
B
D
:辐射源
-collector
: BASE
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
E
C
F
集热器

BASE

辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
等级
30
25
5
0.7
0.6
150, -55~150
单位
V
V
V
A
W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家切 - 关电流
收藏家切 - 关电流
发射器切 - 关电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
分钟。
30
25
5
-
-
-
90
-
-
50
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
0.1
400
0.6
1.2
-
单位
V
V
V
μA
μA
μA
V
V
兆赫
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
= 100μA ,我
C
=0
V
CB
= 30V ,我
E
=0
V
CE
= 20V ,我
B
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=100mA
I
C
= 700毫安,我
B
=70mA
I
C
= 700毫安,我
B
=70mA
V
CE
= 6V ,我
C
= 10毫安, F = 30MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
17 -FEB- 2011版本A
第1页2