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    2SC1815W 参数 Datasheet PDF下载

    2SC1815W图片预览
    型号： 2SC1815W
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN晶体管外延平面晶体管 [NPN Transistor Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 378 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SC1815W的Datasheet PDF文件第2页  
    2SC1815W
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    NPN晶体管
    外延平面
    晶体管
    描述
    该2SC1815W设计用于在使用中
    AF放大器和一般的驱动级
    目的amplificaion 。
    REF 。
    A
    A1
    A2
    D
    E
    HE
    分钟。
    0.80
    0
    0.80
    1.80
    1.15
    1.80
    毫米
    马克斯。
    1.10
    0.10
    1.00
    2.20
    1.35
    2.40
    REF 。
    L1
    L
    b
    c
    e
    Q1
    分钟。
    马克斯。
    0.42参考。
    0.15
    0.35
    0.25
    0.40
    0.10
    0.25
    0.65参考。
    0.15 BSC 。
    毫米
    绝对最大额定值
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    集电极 - 基极电压
    Ta=25
    o
    C
    参数
    价值
    60
    50
    5
    150
    225
    -55~+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    O
    I
    C
    P
    D
    T
    J,
    T
    英镑
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    总功耗
    结温和存储温度
    o
    C
    电气特性环境温度Tamb = 25
    C
    除非另有说明
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 基极截止电流
    发射基截止电流
    集电极饱和电压
    基本饱和电压
    直流电流增益
    增益带宽积
    输出电容
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    *V
    CE
    （SAT）
    *V
    BE
    （SAT）
    *h
    FE1
    *h
    FE2
    fT
    C
    ob
    民
    60
    50
    5
    -
    -
    -
    -
    120
    25
    80
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    -
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    mV
    V
    测试条件
    I
    C
    = 100
    µA
    I
    C
    = 1毫安
    I
    E
    = 10µA
    V
    CB
    = 60V
    V
    EB
    =5V
    I
    C
    =100mA,I
    B
    =10mA
    I
    C
    =100mA,I
    B
    =10mA
    V
    CE
    = 6 V，I
    C
    =2mA
    V
    CE
    = 6 V，I
    C
    =150mA
    100
    100
    250
    1
    700
    -
    -
    3.5
    MH ž
    pF
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 1mA时， F = 100MHz的
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    *脉冲宽度
    ≦
    380
    µ
    S，占空比
    ≦
    2%
    分类的hFE的
    秩
    范围
    C4Y
    120~240
    C4G
    200~400
    C4B
    350~700
    http://www.SeCoSGmbH.com
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    01君2002年修订版A
    第1页2

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