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    2SC1383L_11 参数 Datasheet PDF下载

    2SC1383L_11图片预览
    型号： 2SC1383L_11
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅通用晶体管 [NPN Silicon General Purpose Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 673 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SC1383L_11的Datasheet PDF文件第2页  
    2SC1383L / 2SC1384L
    公司Bauelemente
    NPN硅
    通用晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    特征
    低集电极到发射极饱和电压V
    CE （ SAT ）
    .
    互补配对2SA683和2SA684 。
    G
    H
    TO-92L
    J
    A
    D
    1
    辐射源
    2
    集热器
    3
    BASE
    REF 。
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.70
    5.10
    7.80
    8.20
    13.80
    14.20
    3.70
    4.10
    0.35
    0.55
    0.35
    0.45
    1.27 TYP 。
    1.28
    1.58
    2.44
    2.64
    0.60
    0.80
    分类h及
    FE(1)
    产品等级
    产品等级
    范围
    2SC1383L-Q
    2SC1384L-Q
    85~170
    2SC1383L-R
    2SC1384L-R
    120~240
    2SC1383L-S
    B
    2SC1384L-S
    170~340
    K
    E
    C
    F
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    集热器
    2
    3
    BASE
    1
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流
    集电极耗散功率
    交界处，贮存温度
    2SC1383L
    2SC1384L
    2SC1383L
    2SC1384L
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    等级
    30
    60
    25
    50
    5
    1
    1
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    °
    C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极基极击穿2SC1383L
    电压
    2SC1384L
    集电极到发射极
    击穿电压
    收藏家切 - 断电流
    直流电流增益
    集电极到发射极饱和电压
    基地 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    2SC1383L
    2SC1384L
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    h
    FE （1）
    h
    FE （2）
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    分钟。
    30
    60
    25
    50
    5
    -
    85
    50
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    200
    马克斯。
    -
    -
    -
    -
    -
    0.1
    340
    -
    0.4
    1.2
    -
    单位
    V
    V
    V
    µA
    测试条件
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 2毫安，我
    B
    =0
    I
    E
    = 10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =500mA
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =1A
    发射极基极击穿电压
    V
    V
    兆赫
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =50mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    =50mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =50mA
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    28 -JAN- 2011版本B
    第1页2

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