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2SC1383L 参数 Datasheet PDF下载

2SC1383L图片预览
型号: 2SC1383L
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内容描述: NPN硅通用晶体管 [NPN Silicon General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 169 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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2SC1383L/2SC1384L
公司Bauelemente
NPN硅
通用晶体管
P
C
T
a
1.2
1.50
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
10毫安
9毫安
8毫安
7毫安
6毫安
5毫安
4毫安
0.50
I
C
I
B
1.2
V
CE
=
10 V
T
a
=
25°C
1.0
集电极耗散功率P
C
(W)
1.0
1.25
集电极电流I
C
(A)
0.8
1.00
集电极电流I
C
(A)
0.8
0.6
0.75
0.6
0.4
3毫安
2毫安
0.4
0.2
0.25
1毫安
0.2
0
0
0
40
80
120
160
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
12
环境温度T
a
(°C)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(MA )
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
10
V
BE ( SAT )
I
C
100
h
FE
I
C
600
V
CE
=
10 V
基射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
I
C
/ I
B
=
10
I
C
/ I
B
=
10
1
T
a
=
75°C
25°C
10
正向电流传输比H
FE
500
400
0.1
−25°C
25°C
1
T
a
= −25°C
75°C
300
T
a
=
75°C
200
25°C
−25°C
0.01
0.1
100
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.01
0.1
1
10
0
0.01
0.1
1
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
f
T
I
E
200 V
=
10 V
CB
T
a
=
25°C
50
C
ob
V
CB
120
V
CER
R
BE
集电极 - 发射极电压
(V)
( B和E之间的电阻)V
CER
I
E
=
0
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
集电极输出电容C
ob
(PF )
(共基极短路)
I
C
=
10毫安
T
a
=
25°C
100
过渡频率f
T
(兆赫)
160
40
80
120
30
60
2SC1384
40
2SC1383
20
80
20
40
10
0
−1
−10
−100
0
1
10
100
0
0.1
1
10
100
发射极电流I
E
(MA )
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
基极 - 发射极电阻R
BE
(kΩ)
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
的说明书中的任何改变将不被通知个人
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