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    2SB772L 参数 Datasheet PDF下载

    2SB772L图片预览
    型号： 2SB772L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP型外延晶体管 [PNP Type Epitaxial Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 348 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SB772L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB772L的Datasheet PDF文件第3页  
    2SB772L
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    的" - C"后缀指定卤素&无铅
    TO-251
    6.6
    ±0.2
    5.3
    ±0.2
    2.3
    ±0.1
    0.5
    ±0.05
    PNP型
    外延晶体管
    描述
    专为使用在输出级中的2SB772L口
    10W的放大器，电压调节器，DC-DC转换器和
    继电器的驱动程序。
    5.6
    ±0.2
    7.0
    ±0.2
    1.2
    ±0.3
    0.75
    ±0.15
    7.0
    ±0.2
    0.6
    ±0.1
    2.3
    REF 。
    0.5
    ±0.1
    G
    D
    S
    单位：毫米
    最大额定值* （T
    AMB
    = 25℃，除非另有规定）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流（ DC ）
    集电极电流（脉冲）
    基极电流
    o
    参数
    价值
    -40
    -30
    -5
    -3
    -7
    -0.6
    10
    -55~+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    O
    I
    C
    I
    B
    P
    D
    T
    J,
    T
    英镑
    总功耗
    结温和存储温度
    o
    C
    电气特性环境温度Tamb = 25
    C
    除非另有说明
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 基极截止电流
    发射基截止电流
    集电极饱和电压
    基本饱和电压
    直流电流增益
    增益带宽积
    输出电容
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CES
    I
    EBO
    *V
    CE
    （SAT）
    *V
    BE
    （SAT）
    *h
    FE
    1
    *h
    FE
    2
    fT
    C
    ob
    民
    -40
    -30
    -5
    -
    -
    -
    -
    30
    100
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -0.3
    -1
    -
    -
    80
    55
    最大
    -
    -
    -
    -1
    -1
    -0.5
    -2
    -
    500
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    uA
    uA
    V
    V
    测试条件
    I
    C
    =-100µA,I
    E
    =0
    I
    C
    =-1mA,I
    B
    =0
    I
    E
    =-10µA,I
    C
    =0
    V
    CB
    =-30V,I
    E
    =0
    V
    EB
    = - 3V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = - 2 A，I
    B
    =-0.2 A
    I
    C
    = - 2 A，I
    B
    =-0.2 A
    V
    CE
    = - 2 V，I
    C
    = -20毫安
    V
    CE
    = - 2 V，I
    C
    =-20
    mA
    MH ž
    V
    CE
    = - 5 V，I
    C
    = -0.1mA ， F = 100MHz的
    ,
    pF
    V
    CB
    = -10 V ， F = 1MHz时，我
    E
    =0
    *脉冲测试：脉冲宽度
    ≦
    380
    µ
    S，占空比
    ≦
    2%
    分类的hFE的
    秩
    范围
    Q
    100~200
    R
    160~320
    S
    250~500
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    01君2002年修订版A
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    第1页
    3

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