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2SB764L 参数 Datasheet PDF下载

2SB764L图片预览
型号: 2SB764L
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内容描述: PNP塑料封装晶体管 [PNP Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 589 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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2SB764L
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
PNP塑料封装晶体管
特征
功耗P
CM
: 0.9 W(环境温度Tamb = 25℃)
集电极电流I
CM
: -1 A
集电极 - 基极电压V
( BR ) CBO
: -60 V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
: -55 ℃〜+ 150 ℃
A
J
D
毫米
分钟。
马克斯。
4.70
5.10
7.80
8.20
13.80
14.20
3.70
4.10
0.35
0.55
0.35
0.45
1.27 TYP 。
1.28
1.58
2.44
2.64
0.60
0.80
TO-92L
G
H
1Emitter
2Collector
3Base
集热器
2
REF 。
B
K
3
包装信息
重量: 0.3900克(近似)
BASE
E
C
F
1
辐射源
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
电气特性
(在T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
OB
分钟。
-60
-50
-5
-
-
60
30
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
20
马克斯。
-
-
-
-1
-1
320
-
-0.7
-1.2
-
-
单位
V
V
V
μA
μA
测试条件
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -1mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CB
= -50V ,我
E
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
V
CE
= -2V ,我
C
= -0.05A
V
CE
= -2V ,我
C
= -1A
V
V
兆赫
pF
I
C
= -0.5A ,我
B
= -0.05A
I
C
= -0.5A ,我
B
= -0.05A
V
CE
= -10V ,我
C
= -0.05A
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1 MHz的
分类h及
FE(1)
范围
D
60 - 120
E
100 - 200
F
160 - 320
01月, 2009年修订版A
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